W—K合金的正电子湮没寿命谱研究

来源 :四川大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuleweiyuan
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正电子湮没技术(PA T )是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感。本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术(PLAS),对W-K混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于W-K合金的缺陷变化没有明显的影响,而W-K合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化。
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