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在WO3中掺入杂质离子,制成傍热式厚膜元件,结合升温脱附(TPD)和半导体分析,研究了掺杂离子对元件性能的影响.
掺杂离子对O3气敏元件的影响
【摘 要】
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在WO3中掺入杂质离子,制成傍热式厚膜元件,结合升温脱附(TPD)和半导体分析,研究了掺杂离子对元件性能的影响.
【机 构】
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吉首大学
【出 处】
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传感器技术
【发表日期】
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2002年4期
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