氮氧化铝的原子层沉积制备及其阻变性能研究

来源 :厦门大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：zwj1234

【摘要】

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以等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）技术生长氮氧化铝（AlNxOy）薄膜,磁控溅射Ag上电极制备结构为Ag/AlNxOy/Pt的阻变存储器（RRAM）.器件呈现双极性阻变特性,正向开启电压稳定且分布窄,

【作者】

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刘宇余珏黄巍李俊汪建元徐剑芳李成陈松岩

【机构】

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厦门大学物理科学与技术学院

【出处】

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厦门大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2017年6期

【关键词】

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原子层沉积 AlNxOy薄膜阻变存储器双极型

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以等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）技术生长氮氧化铝（AlNxOy）薄膜,磁控溅射Ag上电极制备结构为Ag/AlNxOy/Pt的阻变存储器（RRAM）.器件呈现双极性阻变特性,正向开启电压稳定且分布窄,变化幅度集中在0.5 V的范围内.高阻态和低阻态电阻之比超过103,并具有免激活特性.低温测试表明,器件的低阻态电阻和温度正相关,说明了阻变的机制为银导电细丝的形成和断裂.

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