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采用等离子体增强化学气相沉积技术，以C2H2、H2和N2为反应气体，制备碳纳米管薄膜。利用扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱仪对其进行表征。结果表明，碳源气体流量对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用，获得分布均匀、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管的最佳碳源流量为30sccm。
碳源流量对PECVD制备碳纳米管形貌的影响
【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积技术，以C2H2、H2和N2为反应气体，制备碳纳米管薄膜。利用扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱仪对其进行表征。结果表明，碳源气体流量对碳纳米管薄膜的生
【机 构】
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渭南师范学院物理与电气工程学院
【出 处】
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应用化工
【发表日期】
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2013年3期
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