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通过计算GaN能带结构和跃迁矩阵元,对GaN基量子阱激光器的极化相关增益和增益饱和特性作了理论上的计算与分析.具体计算并给出了TE和TM模的增益谱和自饱和系数的曲线,分析了能带结构和载流子面密度对增益和增益饱和特性的影响.
GaN基量子阱激光器极化相关增益饱和特性的理论计算
【摘 要】
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通过计算GaN能带结构和跃迁矩阵元,对GaN基量子阱激光器的极化相关增益和增益饱和特性作了理论上的计算与分析.具体计算并给出了TE和TM模的增益谱和自饱和系数的曲线,分析了
【机 构】
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武汉大学应用物理系
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2001年6期
【基金项目】
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湖北省武汉市科技攻关项目
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