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报道了窄条芝选区生长有机金属化学气相沉积（NSAG-MOCVD）成功生长的InP系材料，并提出在NSAG-MOCVD生长研究中，引入填充因子的必要性，给出速率增强随充因子变化的经验公式，计算得出速率强因子随填充因子的变化关系。与实验结果作了比较，发现InP的速率增强因子主要取决于掩膜宽度，InGaAsP的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关，同时也依赖于生长厚度，且这种依赖性随掩膜宽度的增加而增加。