N掺杂Cu2O薄膜的低温沉积及快速热退火研究

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【摘要】

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采用氧化亚铜（Cu2O）陶瓷靶,利用射频磁控溅射沉积法在氮气和氩气的混合气氛下制备了N掺杂Cu2O（Cu2O∶N）薄膜,并在N2气氛下对薄膜进行了快速热退火处理,研究了N2流量和退火温度对C

【作者】

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自兴发叶青刘瑞明程满黄文卿何永泰

【机构】

：

楚雄师范学院物理与电子科学学院

【出处】

：

材料导报

【发表日期】

：

2017年16期

【关键词】

：

氧化亚铜 N2流量低温沉积快速热退火光电特性 copper（Ⅰ）oxide N2 flow rate low temperature deposition

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采用氧化亚铜（Cu2O）陶瓷靶,利用射频磁控溅射沉积法在氮气和氩气的混合气氛下制备了N掺杂Cu2O（Cu2O∶N）薄膜,并在N2气氛下对薄膜进行了快速热退火处理,研究了N2流量和退火温度对Cu2O∶N薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光电性能的影响。结果显示,在衬底温度300℃、N2流量12sccm条件下生长的薄膜为纯相Cu2O薄膜;在N2气氛下对预沉积薄膜进行快速热退火处理不影响薄膜的物相结构,薄膜的结晶质量随退火温度（〈450℃）的升高而显著改善;快速热退火处理能改善薄膜的结晶质量和缺陷,降低光生载

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