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用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz．给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺．
GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
【摘 要】
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用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,中国科学院半导体研究所材料中心,;
【出 处】
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城市道桥与防洪
【发表日期】
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2004年期
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