【摘 要】
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随着光通信技术的发展,如何制备能与Si基电路单片集成的响应波长在1.3和1.55μm的高性能光电探测器成为研究热点。总结了Si Ge组分变化的缓冲层技术、低温缓冲层技术以及选区
【机 构】
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中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
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随着光通信技术的发展,如何制备能与Si基电路单片集成的响应波长在1.3和1.55μm的高性能光电探测器成为研究热点。总结了Si Ge组分变化的缓冲层技术、低温缓冲层技术以及选区外延这三种主流的Ge材料外延技术,介绍了pin结构、金属-半导体-金属（MSM）结构、雪崩光电二极管（APD）结构以及pin结构和MSM结构与光波导集成这四种不同结构的Ge光电探测器,并从这些不同结构的器件制备技术方面阐述了近红外波段Ge光电探测器的研究进展及其应用。
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