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介绍了一种工作在3．3V电压下，适合于标准CMOS工艺的新型带隙基准电路。由于传统的带隙基准电路是利用三极管的短接电压VBE与热电压VT和kT／q乘积的和产生的。因此其VREF大约为1．25V，这就限制了低于1V的带隙输出电压。而新型带隙基准电路的输出电压大约695mV．并可方便地减小或者增大。新型电路的输出电压在190℃的温度范围内的变化值只有1．5mV。它的温度系数大约只有8ppm/℃.