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针对半导体量子阱或超晶格中电子有效质量变化的实际情况,本文讨论了变质量粒子在势垒中的隧穿过程,分析了透射系数与粒子能量及质量的关系,并用图表绘出了计算结果.
变质量势垒穿透的研究
【摘 要】
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针对半导体量子阱或超晶格中电子有效质量变化的实际情况,本文讨论了变质量粒子在势垒中的隧穿过程,分析了透射系数与粒子能量及质量的关系,并用图表绘出了计算结果.
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院,山东师范大学科技处
【出 处】
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山东师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2008年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（10674085）
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