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根据P沟道金属氧化物场效应晶体管(PMOSFET)在低能脉冲X射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理.
PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应
【摘 要】
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根据P沟道金属氧化物场效应晶体管(PMOSFET)在低能脉冲X射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理.
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,新疆大学物理系,西北核技术研究所
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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2005年2期
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