【摘 要】
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采用自主外延的4 H-SiC外延片,利用PECVD生长的SiO2做场板介质,B^＋离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管的理想
【机 构】
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南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
【基金项目】
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单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助项目（批准号：9140C140401）Acknowledgements We would like to thank the first and the fifth institute centers for semiconductor processing during the device fabrication.
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采用自主外延的4 H-SiC外延片,利用PECVD生长的SiO2做场板介质,B^＋离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管的理想因子n=1.08 ,势垒高度φe=1.05eV,串联电阻为6.77mΩ.cm^2,正向电压为4V时,电流密度达到430A/cm^2.反向击穿电压大于1.1kV,室温下,反向电压为1.1kV时,反向漏电流为5.96×10^-3A/cm^2.
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