理想因子相关论文
短波长的深紫外光源（200-300 nm）在水和空气净化、医疗杀菌、非视距通信、高密度光存储等领域都有广阔的应用前景。尤其在新冠肺炎（CO......
二氧化钒（vanadium dioxide,VO2）是关联电子氧化物的典型代表之一,在340K附近发生可逆的金属—绝缘体转变（Metal—insulator transiti......
在Si基CMOS技术中,芯片中集成度的提高取决于晶体管的尺寸等比例缩小,但随之带来的短沟道效应的加剧使得传统的Si材料逐渐接近其物......
太阳能作为可再生、清洁能源在解决能源危机和环境污染等问题方面具有重大潜力。近年来,液体分频太阳能聚光光伏光热（CPV/T）技术由于......
在ＭＢＥ和ＭＯＣＶＤ两种方法制备的ｎ－ＧａＮ材料上，通过热蒸发、离子束溅射和光快速退火等工艺，制作了Ａｕ－ＧａＮ肖特基结和Ｔｉ／Ａ１／Ｔｉ／Ａｕ－ＧａＮ欧姆接触，并在室温测定了肖特基结的Ｉ－Ｖ特性。分......
利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合......
通过变温I-V测试方法对中波Si基碲镉汞光伏探测器的深能级进行了研究.首先在产生-复合电流为主导电流机理范围内对Si基碲镉汞探测......
基于发光二极管(LED)参数的非接触检测的方法研究,测试研究了封装过程中LED的理想因子。探讨了影响LED理想因子的因素,测试了光致......
理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象.针对目前报道的Ga N基发光二极管的理想因子的问题,通过对高压......
通过改进的电桥法,使用直流恒压源,实现了大电流范围(7.791'10-8A～0.439A)对硅二极管伏安特性的测量,很好地解决了微电流不易测量的......
目的考察当代大学生理想的结构及现状。方法采取整群随机抽样方法，选取565名大学生应用自编的《大学生理想问卷》进行调查。结......
本文以晶体硅太阳电池的特性曲线为基础，通过理论分析得到了最大功率点电压温度补偿系数 dVmp/dT的表达式，并通过数值试算确认温度本......
An Al-doped ZnO/p-Si heterojunction is fabricated by a laser molecular beam epitaxy technique. The abnormally high ideal......
The blend of nickel phthalocyanine (NiPc) (2 wt. %) poly-N-epoxypropylcarbazole (PEPC), (1 wt. %) and carbon nano-tube (......
采用Matlab数字分析方法,结合多晶硅发射极双极器件基极电流的构成情况,阐述了不同理想因子电流成分分离的基本原理和数学方法.利......
AlxGa1-xN合金半导体材料在许多领域有广泛的用途，其中很重要的是在紫外探测器领域的应用，如可以用在火焰和热传感器，导弹尾焰探测和......
采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性的影响.研究表明:晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性的自然对数曲线......
利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌.测试发现样品的Ⅰ-Ⅴ曲线符......
现代家禽生产中有许多可以影响家禽最佳生产性能的挑战.家禽生产中的这些非理想因子从疾病(如球虫病或坏死性肠炎)至环境应激因子.......
采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得......
暗I-V特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段.本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗I-V特......
基于碳化硅材料的优越性能,进行了4H-SiC pn结二极管正向工作区内电学特性和热学特性的模拟研究。仿真分析表明4H-SiC pn结二极管......
利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗I～V特性的......
对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流,IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻R......
期刊
研究了AIGaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化.首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响......
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性.将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验......
在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)......
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高压电子加速器中常利用串联二极管来承受高电压,然而串联二极管的可靠性却难以保证。通过老化试验的方法,测量电子加速器中的串联......
势垒高度Φ和理想因子n是混合肖特基/PIN(MPS)二极管正向输运下的重要参数,而软度因子是MPS反向恢复能力的衡量指标之一。对6H-SiC......
研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管.测量了器件的电流-电压特性,并分析了器件偏离理想情况的原因.......
用MOCVD生长的未掺杂的疗n-Al0．3Ga0．7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA，在315nm波长处有陡峭的截止边，在1V偏......
制备了高Al组分AlxGa1-xN肖特基二极管（x≥0.4）,并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化。计算了退火前后该器件的理想因子、势......
利用化学汽相沉积，在没有催化剂的p-si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列，构成ZnO阵列／p-Si异质结．电流-电压性能测试显示该结构具有较好的......
提出了用理想因子n作为表征，对双极晶体管的贮存寿命进行评估的新方法。以某型双极晶体管为研究对象，进行了3组不同温、湿度恒定应力......
提出了用理想因子n评价大功率LED可靠性的新方法。通过对大功率LED I-V曲线的拟合计算出理想因子n的数值，对大功率LED进行电流加速......
采用射频磁控溅射法在n-Si（100）衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱（AES）测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂......
采用光激励与电激励的方式对AlGaInP与InGaN/GaN基LED的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参......
提出SiC表面氢化模型.以氢饱和SiC表面悬挂键,减少界面态.从而制备理想的金属/半导体接触,并将此模型用于SiC器件表面处理,其优点......
研究了4H—SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni／SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H—SiC衬底上台阶控制外延方......
用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器，并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管。器件在零偏电......
利用ORCAD计算机辅助电路分析软件分别对窄条和宽条激光二极管（LD）的理想因子进行仿真.仿真和实验结果均表明,侧向电流扩展导致窄条L......
本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备......
研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN／GaNHEMT肖特基特性的影响。在栅金属化前，采用不同的表面处理方法进行实验，发现通过表面......
