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随着高可靠电子技术的发展，要求硅双极器件的电流增益ＨＦＥ具有很低的正温度系数，发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是常规硅双极晶体管ＨＦＥ具有较高正温度系数的主要原因。为了减小这一正温度系数，结合发射区轻掺杂技术，我们采用了新颖的多晶硅部分发射区、多晶硅发射区和非晶硅发射区等结构，获得了电性能优异的ＨＦＥ超低温度系数的硅双极器件，ＨＦＥ的１２５℃高温上升率和－５５℃低温下降率小于２０％，有些甚至小于１０