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本文提出了一种新型的ＬＤＭＯＳ／ＩＧＢＴ混合结构，它兼具ＬＩＧＢＴ的驱动能力强和ＬＩＤＭＯＳ的速度快的特点，并且衬底电流小，能很好的抗闭锁利用此结构可在很宽的电压范围内得到一稳定的输出信号，数值模拟和实验表明此结构对实现智能功率集成电路中的高、压低压端信号传输具有突出的优点。
用于智能功率集成电路中的LDMOS／LIGBT混合结构
【摘 要】
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本文提出了一种新型的ＬＤＭＯＳ／ＩＧＢＴ混合结构，它兼具ＬＩＧＢＴ的驱动能力强和ＬＩＤＭＯＳ的速度快的特点，并且衬底电流小，能很好的抗闭锁利用此结构可在很宽的电压范围内得到一稳定的输出信号，数值模拟和实验表明此
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助课题 ,,国防科工委基金资助课题
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