【摘 要】
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本文报告用Ga/InAs/AsCl_3/H_2体系,在GaAs衬底上气相外延Ga_(1_x)In_xAs的结果。通过生长过渡层,降低晶格失配;用水平舟生长的InAs源,并适当选择生长参数,得到表面光洁、完
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,
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本文报告用Ga/InAs/AsCl_3/H_2体系,在GaAs衬底上气相外延Ga_(1_x)In_xAs的结果。通过生长过渡层,降低晶格失配;用水平舟生长的InAs源,并适当选择生长参数,得到表面光洁、完整性较好的外延层。组份x值在0.25以内,最佳电性为:
This paper reports the results of the vapor phase epitaxy of Ga_ (1_x) In_xAs on GaAs substrates using Ga / InAs / AsCl_3 / H_2 system. Through the growth of the transition layer to reduce the lattice mismatch; With InAs source of the growth of the boat, and the appropriate choice of growth parameters, get a smooth surface, good integrity of the epitaxial layer. Component x value within 0.25, the best electrical properties are:
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