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采用ＰＥＣＶＤ方法制备了ａ－ＳｉＯｘＮｙ薄膜，观察到强荧光发射现象，荧光光谱由波段范围为２６０～３５０ｎｍ和５００～７００ｎｍ的宽谱带和位置分别为３６５、３７５、３８０、７３５和７４５ｎｍ的荧光发射峰组成。改变沉积过程中氢分压研究了氧含量及荧光特性的影响，随着氢分压下降，薄膜中氧含量升高，荧光峰强度增加，但位置不变；而荧光带在强度增加的同时，中心位置产生红移。根据实验结果对荧光起源及变化机制进行了