【摘 要】
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生长技术,后来居上砷化镓(GaAs)是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一,广泛应用于光电子和微电子领域。目前全球砷化镓单晶的总年产量已超过200吨,3英寸～4英寸Si-GaAs
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生长技术,后来居上砷化镓(GaAs)是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一,广泛应用于光电子和微电子领域。目前全球砷化镓单晶的总年产量已超过200吨,3英寸～4英寸Si-GaAs已投入大量生产。2001年北京有色金属研究总院成功研制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷化镓单
Growth technology, later Gaisu GaAs (GaAs) is currently one of the most important and most mature compound semiconductor materials, widely used in optoelectronics and microelectronics. The current global annual production of gallium arsenide single crystal has more than 200 tons, 3-inch to 4-inch Si-GaAs has been put into mass production. In 2001, Beijing Nonferrous Metal Research Institute successfully developed the first 4-inch diameter VCZ semi-insulating gallium arsenide
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