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采用直流磁控溅射的方法在Si（100）衬底上制备了Mg2Si外延半导体薄膜。通过XRD和FESEM对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征，分析了溅射功率对Mg2Si薄膜制备的影响，得到了Mg2Si薄膜在不同溅射功率下的外延生长特性。结果表明，在Si（100）衬底上，MgzSi薄膜具有（220）的择优生长特性，并且在50～80W的溅射功率范围内，随着溅射功率的增加，Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度逐渐增强。