【摘 要】
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本文以实验结果为基础,根据 ALE GaAs 生长过程中的自限特性和 Langmiur 单层吸附模型,计算了在 TMGa 暴露周期各化学物种的气相分压和表面复盖度随温度、TMGa 注入量和反应
【机 构】
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山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所济南,250100,济南,250100
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本文以实验结果为基础,根据 ALE GaAs 生长过程中的自限特性和 Langmiur 单层吸附模型,计算了在 TMGa 暴露周期各化学物种的气相分压和表面复盖度随温度、TMGa 注入量和反应系统压力的变化关系。讨论了生长参数的改变对生长速率和 C 掺杂的影响。计算结果表明,温度对各物种在 GaAs 表面复盖度的影响十分显著,随着温度的上升,主要含 Ga 吸附物从(CH_3)_2Ca,CH_3Ga 转变为 GaH 和 Ga 原子。另外,在 GaAs 表面含 C 物种的复盖度随温度和反应系统压力的降低及TM
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