【摘 要】
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本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发，重点讨论了AlGaN／GaN异质结构中二维电子气的性质，总结分析了
【机 构】
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南京大学物理系、江苏省光电信息功能材料重点实验室
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本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发，重点讨论了AlGaN／GaN异质结构中二维电子气的性质，总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响，同时还涉及AlGaN／GaN／AlGaN，AlGaN／AlN／GaN和AlGaN／InGaN／GaN等异质结构二维电子气性质。
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