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采用MOCVD技术在Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InGaN薄膜，以卢瑟福背散射／沟道（RBS／Channeling)技术和光致发光（PL）技术和InxCa1-xN/GaN/Al2O3样品进行测试，获得了合金层的组分，厚度，元素随深度分布，结晶品质及发光性能等信息，研究表明生长温度和TMIn/TEGa比对InGaN薄膜的In组分和生长速率影响很大，在一定范围内，降低TMIn/TEGa比，InGaN膜的生长速率增大，合金的In组分反而提高，降低生长温度，InGaN膜的In组分提高，但生长速率基本不变，I