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氮化铝陶瓷具有高的导热性和好的电绝缘性,而且其热膨胀系数在室温到200℃范围内与硅相当,因而可作为半导体器件的钝化层和介电层以及电子基体。它的导热性与其化学纯度和密度关系密切,日本Noritake有限公司的研究人员,采用氧化钇作为烧结
氧化钇助剂
【摘 要】
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氮化铝陶瓷具有高的导热性和好的电绝缘性,而且其热膨胀系数在室温到200℃范围内与硅相当,因而可作为半导体器件的钝化层和介电层以及电子基体。它的导热性与其化学纯度和密
【出 处】
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稀土信息
【发表日期】
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1994年1期
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