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用磁控溅射法制备了MiTi非晶薄膜.薄膜无形状记忆效应.研究了经不同晶化热处理后的形状记忆效应,获得的最佳晶化热处理条件为500～700℃范围内晶化0.5h.
NiTi形状记忆薄膜的溅射制备及晶化热处理工艺
【摘 要】
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用磁控溅射法制备了MiTi非晶薄膜.薄膜无形状记忆效应.研究了经不同晶化热处理后的形状记忆效应,获得的最佳晶化热处理条件为500～700℃范围内晶化0.5h.
【机 构】
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华东师范大学物理系,南京大学固体微结构国家重点实验室
【出 处】
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材料热处理学报
【发表日期】
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2001年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金，上海市青年科技启明星计划
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