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为了寻找能在较高温度下进行烧孔的性能良好的光存储材料。本文研究了BafClXBr1－X：Sm^2＋系列的荧光谱线窄化和光谱烧孔现象随组分X的变化规律。随着Br加入BafCl基质，使Sm^2＋的非均匀线宽大大增加，而均匀线宽变化不大，从而实现了高温(77K)永久性光谱烧孔，在频畴光存储中，对X＝0．5材料，其存储密度可提高20倍。