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利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具。本文利用电学法测量了ＧａＡＳ ＭＥＳＦＥＴ在等功率下，加热响应曲线随电压的变化，并通过红外热像仪测量其温度分布，结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系。理论计算也表明了这一点。在等功率条件下，电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少。该方法可用来判断器件的热不均匀性。