直流反应磁控溅射Zn1-xCdxO薄膜的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gwo

【摘要】

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用直流应磁控溅射法在n-Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜，最佳生长温度为450℃(x=0．2)．当x≤0．6时，Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO的六角结构，x=0．8时，薄膜是由

【作者】

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马德伟叶志镇黄靖云赵炳辉

【机构】

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浙江大学硅材料国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2003年10期

【关键词】

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Znl-xCdxO薄膜磁控溅射禁带宽度 Zn1-xCdxO films magnetron sputtering bandgap

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用直流应磁控溅射法在n-Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜，最佳生长温度为450℃(x=0．2)．当x≤0．6时，Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO的六角结构，x=0．8时，薄膜是由ZaO六角结构晶体和CdO立方结构晶体组成的混合物．透射光谱测试表明，通过改变合金薄膜中Cd的含量，可以调节Zn1-xCdxO薄膜的禁带宽度．

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