【摘 要】
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本文提出了VMOS功率晶体管的伏安特性数学公式。从器件特性曲线的不同范围可容易地抽取该模型的两个参数,应用这个式子,把新的VMOS功率晶体管模型转换成电路模拟程序,如SPICE
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本文提出了VMOS功率晶体管的伏安特性数学公式。从器件特性曲线的不同范围可容易地抽取该模型的两个参数,应用这个式子,把新的VMOS功率晶体管模型转换成电路模拟程序,如SPICE程序的源代码,就行得通了。
In this paper, the mathematical formula of the volt-ampere characteristic of VMOS power transistor is proposed. The two parameters of the model can be easily extracted from different ranges of device characteristic curves. Using this formula, it is possible to convert the new VMOS power transistor model into a circuit simulation program, such as the SPICE program’s source code.
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