【摘 要】
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在基于碳化硅(SiC)MOSFET器件的高压高频变换器中,快速的开关瞬态电流变化率di/dt会作用于换流回路杂散电感上,导致SiCMOSFET器件承受较大的电气应力,增加系统电磁干扰。因此
【机 构】
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新能源电力系统国家重点实验室（华北电力大学）
【基金项目】
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国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400503)
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在基于碳化硅(SiC)MOSFET器件的高压高频变换器中,快速的开关瞬态电流变化率di/dt会作用于换流回路杂散电感上,导致SiCMOSFET器件承受较大的电气应力,增加系统电磁干扰。因此,换流回路杂散电感的准确提取对于分析器件的开关特性非常关键。所以,该文提出了基于开关振荡频率的换流回路杂散电感提取方法,该方法具有不受杂散电阻、测量延时和平台尺寸的限制等优点。最后将该方法与现有的不同杂散电感提取方法进行了对比,验证了其有效性。
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