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采用共溅射方法制备了Cu-In合金膜,并讨论了Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响.结果显示,Cu-In合金膜仅有单峰,多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变.用费-桑理论对Cu-In合金薄膜的电学性质进行了分析,临界厚度的讨论结果表明,溅射3~4min是面电阻的转变点,而电学参数分析也给出相同的结果.