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目的：研究电针百会、风府穴对学习记忆障碍大鼠脑组织神经细胞凋亡及Bcl-2、Bax基因表达的影响,探讨其改善学习记忆障碍的机制以及对脑组织神经元的保护作用。方法：随机将48只雄性Wistar大鼠分为假手术组、模型组、电针组和西药组。采用D-半乳糖腹腔注射合并脑内双侧Meynert鹅膏草氨酸注射的方法制做复合型学习障碍模型,运用电针百会、风府穴的方法进行治疗。结果与结论：电针百会、风府穴能够通过提高Bcl-2基因表达的途径抑制细胞凋亡,保护脑内神经元,进而改善大鼠的学习记忆能力。