一种基于单电子晶体管的二阶带通滤波器

来源 :青岛大学学报(工程技术版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：chaoyuemengxiang2009

【摘要】

：

在研究单电子晶体管(single electron tr ansistor)SETI-V特性的基础上,提出了一种分区处理法,据此设计了一个SET二阶带通滤波器,并说明了该滤波器的工作条件、结构、性能、

【作者】

：

陈学军蔡理

【机构】

：

空军工程大学工程学院,空军工程大学工程学院

【出处】

：

青岛大学学报(工程技术版)

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

：

单电子晶体管 I-V特性带通滤波器传输特性 single electron transistor I—V characteristics band-pass

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在研究单电子晶体管(single electron tr ansistor)SETI-V特性的基础上,提出了一种分区处理法,据此设计了一个SET二阶带通滤波器,并说明了该滤波器的工作条件、结构、性能、参数和特点.仿真结果表明,该滤波器的传输特性与采用其它2种方法描述S ET I-V特性所构成的滤波器传输特性有着良好的一致性.所提出的分区处理法同样适用于SET在其它功能电路中的应用.

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