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首次观察到与砷反位缺陷As_(Ga)有关的、室温下的0.77 eV光致发光(PL)带.作者发现,电子辐照不能产生EL2,而与As_(Ga).有关的PL带并不具有光猝灭效应.在非平衡态历程中,As_(Ga)与EL2间未发现有能量交换现象:EL2光猝灭时,并不导致As_(Ga).所对应的0.77 eV带强度变化;电子辐照产生As_(Ga),也不以EL2浓度的变化为代价.As_(Ga)缺陷是带边发射的湮灭中心.