【摘 要】
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在不同的基底温度和离子源能量下,采用电子束蒸发方法在GaAs基底上分别制备了SiO2、TiO2和Al2O3光学薄膜。测量了所制备薄膜的表面应力,并对不同离子源能量下薄膜的折射率进
【机 构】
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北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室;
【基金项目】
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2017年科技创新服务能力建设-科研基地建设-重点实验室-光电子技术教育部重点实验室(市级)项目(PXM2017_014204_500034)
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在不同的基底温度和离子源能量下,采用电子束蒸发方法在GaAs基底上分别制备了SiO2、TiO2和Al2O3光学薄膜。测量了所制备薄膜的表面应力,并对不同离子源能量下薄膜的折射率进行了测试。结果表明,三种光学薄膜的表面应力呈不均匀分布,通过调节基底温度和离子源能量能有效减小薄膜应力,SiO2、TiO2和Al2O3薄膜的平均应力最小值分别为2.9,8.4,25.1MPa。
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