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本文论述了在ＩｎＰ衬底上用ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ和／或ＩｎＡｌＡｓ构成的异质结双极晶体管的现状及展望。着重强调了超高电子速度的重要性。阐述了自对准制造技术，提出了适于微波功率应用的宽禁带集电区器件和适于数字应用的低开启电压Ｖｂｅ器件。用这些器件构成的分频器可工作到１７ＧＨｚ。
InP基异质结双极晶体管的性能及电路应用
【摘 要】
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本文论述了在ＩｎＰ衬底上用ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ和／或ＩｎＡｌＡｓ构成的异质结双极晶体管的现状及展望。着重强调了超高电子速度的重要性。阐述了自对准制造技术，提出了适于微波功率应用的宽禁带集电区器件和适于
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1995年2期
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