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简述硅单晶生长的原理,阐述硅单晶电阻率样品不同于化学分析样品,不可能完全均匀的原因;探讨在制备的过程中,影响硅单晶样品电阻率均匀性的因素,诸如,不同的掺杂晶体带来的电阻率均匀性差异、晶向对电阻率均匀性的影响、不同的拉晶及掺杂工艺导致的电阻率均匀性变化等;从测试的原理分析,测试环境、样品表面状态可能给硅单晶电阻率标定带来的干扰,以及如何尽量规避这些因素,以达到最终制备出符合使用要求的硅单晶电阻率标准样品的目的。