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采用化学气相渗透法制备了内置异物质缺陷的2D C／SiC复合材料，利用红外热成像、X射线照相和计算机断层扫描（工业CT）三种技术对C／SiC试样进行无损检测。研究了内置缺陷试样的三点弯曲性能。结果表明：X射线照相适用于检测试样中有明显密度差异的缺陷；红外热成像检测适用于检测材料中导热系数较差的孔洞及分层缺陷；工业CT可以检测材料的局部横截面密度差异、孔洞和分层等缺陷的细节特征。2D C／SiC材料在受弯曲载荷时，容易从内置异物质缺陷处开裂，且随该缺陷长度增加，其抗弯强度及临界裂纹扩展能降低。