论文部分内容阅读
金融市场噪声理论评述
【出 处】
:
经济学动态
【发表日期】
:
1998年10期
其他文献
本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术在GaAs器件及电路制造中的研究进展情况,再对目前国内X射线光刻技术的研究状况进行了较为详细的介绍,其中重点论述了深亚微米X射线掩
对AlGaInP/GaAs HBT制备中的基区台面腐蚀、欧姆接触和掩模版标记套刻技术进行了研究,对上述工艺中发现的问题,提出了解决方法,获得了较好的效果.
以Medici程序模拟为途径,研究了有效沟长为0.5μm的典型SiGe沟道PMOSFET器件开关特性,分析了开关时间随器件垂直层结构和参数的变化规律,通过同Si PMOSFET器件开关时间的对比
走在放学回家的路上,大嘴兔子听到远处传来阵阵笑声。走过去一瞧,见大家正围着胖胖熊起哄呢。 “说呀,快说呀!”大家催促着。 “宽扁凳比扁扁……扁……”笨嘴拙腮的胖胖熊,脑门儿直冒汗。 “我再给你说一遍!”小猴子得意扬扬,“听好了,宽板凳比扁板凳宽,扁板凳比宽板凳扁!” “宽扁扁……宽扁宽,唉!”胖胖熊坐在地上,怎么也说不好,急得猛抓脑袋上的熊毛。 原来,小猴子在教胖胖熊说绕口令呢!这坏猴子
期刊
本文分析水泥混凝土桥面铺装质量控制要点,重点阐述平整度的施工控制,提出精心施工是减少病害发生的关键。
This paper analyzes the main points of cement concrete deck
本文对GaAs器件(主要为HFET器件)利用PECVD技术钝化前后的器件特性进行了对比分析,得出对于GaAs器件的钝化膜,利用PECVD技术制作的SiNx膜的钝化效果优于SiO、SiON膜,低应力钝
该论文中介绍了X波段大功率HFET的设计、制作和性能,包括电路的CAD优化设计,GaAs HFET工艺技术研究,功率合成技术研究等.经测试该器件性能在8.8~9.5GHz,输出功率大于6W,增益
"电学隔离"是器件和单片制备的关键工序之一,由于InGaAs/InAlAs异质结固有的材料结构和材料特性使器件的隔离具有特异性.本文对B和Ar离子注入InGaAs/InAlAs异质结器件的隔离
会议