【摘 要】
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研究了衍射效应对SU-8胶紫外光刻尺寸精度的影响。根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型，预测微结构的尺寸，分析了光刻参数变化对尺寸的影响。为了更好地与数值模拟结果进
【机 构】
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大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室
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研究了衍射效应对SU-8胶紫外光刻尺寸精度的影响。根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型，预测微结构的尺寸，分析了光刻参数变化对尺寸的影响。为了更好地与数值模拟结果进行比较，以硅为基底，进行了SU-8胶紫外光刻的实验研究。实验分四组，实验中掩模的特征宽度分别取50μm、100μm、200μm和400μm，SU-胶表面的曝光剂量取400mJ／cm^2。扫描电镜测量了微结构的顶部线宽、底部线宽和SU-8胶的厚度，用MATLAB软件对紫外曝光过程中SU-8胶层内曝光剂量的分布情况进行了数值模拟，数值模拟结果与
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