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采用射频磁控溅射方法制备了一系列自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面处插入适当厚度的Co薄层,可增强界面处的自旋相关散射,增大自旋阀的MR值.用绝缘材料NiO作钉扎层,在大磁场中淀积了NiO/Co/Cu/Co/NiFe底自旋阀,其最大MR值达6%.
NiO／Co／Cu／Co／NiFe自旋阀多层膜研究
【摘 要】
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采用射频磁控溅射方法制备了一系列自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面处插入适当厚度的Co薄层,可增强界面处的自旋相关散射,增大自旋阀的MR值.用绝缘材料NiO作钉扎层,在大磁场中淀
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系
【出 处】
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信息记录材料
【发表日期】
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2002年4期
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