论文部分内容阅读
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜.为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火.通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P-MBE方法在Si基上生长的ZnO的室温光致发光发光峰的可能原因.
利用P—MBE方法在（400）Si衬底上生长ZnO薄膜
【摘 要】
：
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜.为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火.通过X射线衍射(XRD)谱和光致
【机 构】
：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
：
发光学报
【发表日期】
：
2003年3期
其他文献
提高器件的发光效率是实现有机电致发光器件实用化的一个关键因素.通过对器件结构和制作工艺的优化设计,将有机电致发光器件的各个功能层进行互相掺杂,在层间形成互掺过渡层
用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c-平面上外延生长了p型氧化锌薄膜.在实验中采用高纯金属锌作为zn源、NO作为O源和掺杂源,通过射频等离子体激活进行生长.在生
采用高温固相反应法合成了BaMgAl10O17∶R(R=Eu,Mn)荧光体,测量了荧光体的真空紫外激发光谱和相应的发射光谱,观察到基质吸收带位于165nm附近,Mn2+离子的吸收位于170～240nm范
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构.测量了生长样品的光致发光 (PL)谱,得到两个发光峰(记为I1,I2 ),
在有机/无机异质结ZnS/MEH-PPV/ZnS器件中,交流驱动条件下,实现了共轭聚合物MEH-PPV的固态阴极射线发光,器件的发光光谱与MEH-PPV的光致发光谱相同.电子经过ZnS层加速后,成为
采用Tokuda改进的线性组合算符、Lagrange乘子和变分法,讨论了强、弱耦合表面磁极化子的性质.计算了极化子的基态能量和光学声子平均数.以AgCl和ZnS晶体为例进行了数值计算.
利用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法,在刻线的镍膜上沉积碳纳米管膜.通过SEM和拉曼光谱表征,讨论了催化剂厚度、制备温度、反应时间以及甲烷浓度对碳纳米管场发射的影
采用Pechini溶胶-凝胶法合成了Sr2CeO4粉末.利用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、热重及差热分析(TG-DTA)以及发光光谱等测试手段对Sr2CeO4的结晶过程、发光性质进行了研究.
几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390