【摘 要】
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在阐述双向晶闸管换向理论的基础上,推导出了器件换向电压临界上升率的数学表达式;提出了改善器件换向能力的主要措施,并指出门极短路结构和12MeV电子局部辐照工艺是提高大功率双向晶
【机 构】
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北京电力电子新技术研究开发中心,国营七七七厂半导体分厂
【基金项目】
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国家自然科学基金,吉林省科委资助
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在阐述双向晶闸管换向理论的基础上,推导出了器件换向电压临界上升率的数学表达式;提出了改善器件换向能力的主要措施,并指出门极短路结构和12MeV电子局部辐照工艺是提高大功率双向晶闸管换向能力的一种有效的结构和技术。
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