大剂量Mn离子注入GaAs的性质

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：y4o1999

【摘要】

：

在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的

【作者】

：

宋书林陈诺夫柴春林尹志岗杨少延刘志凯

【机构】

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中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室,中国科学院力学研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年z1期

【关键词】

：

低能注入砷化镓 X射线衍射梯度磁强计

【基金项目】

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国家自然科学基金(批准号:60176001,60206007),国家重点基础研究发展计划(批准号:G20000365,G2002CB311905)资助项目

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在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,退火样品的磁化强度增大.

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