【摘 要】
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未来全球半导体90nm、65nm和45nm技术进入量产，其芯片尺寸缩小40％、功耗减少30％、速度加快20％。酷睿Ⅱ4核CPU芯片的晶体管已达到8．2亿只。动态存储器将发展到DDR3，其容量已提升至4G
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未来全球半导体90nm、65nm和45nm技术进入量产，其芯片尺寸缩小40％、功耗减少30％、速度加快20％。酷睿Ⅱ4核CPU芯片的晶体管已达到8．2亿只。动态存储器将发展到DDR3，其容量已提升至4Gb。NAND Flash和NOR Flash的存储容量已达到16Gb。32nm工艺技术生产的32Gb快闪存储器也成为现实，西欧、中东晶圆厂新增计划6项，投资过60亿美元。东南亚等区域计划投资16项。国内集成电路产量和销售年均增长30％，制造技术进入90nm，12英寸生产已进入批量生产阶段。设计达到0．18μ
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