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用激光辐照硅样品和硅锗合金样品能够形成多种氧化低维纳米结构，可以用激光与半导体相互作用产生的等离子体波模型来解释这些结构的形成机理、其中，在单晶硅上形成的网孔壁结构有很强的706nm波长的光致发光（PL）峰，在硅锗合金上形成的多孔状结构于波长为725nm处有极强的PL峰，在硅锗合金上形成的条形片状结构分别在波长为760nm和866nm处也有较强的PL峰；这些结构表面都覆盖有氧化硅层，在硅锗合金上的氧化硅层中镶嵌有纳米锗晶团簇，并用相应的模型解释了这些氧化低维纳米结构的强光致发光效应、