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在N型6H-SiC外延片上,通过热蒸发,制作Ti/6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD).通过化学气相淀积,进行同质外延生长,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性,该肖特基二极管具有较好的整流特性.反向击穿电压约为400V,室温下,反向电压VR=200V时,反向漏电流JR低于1×10-4A/cm2.采用Ne离子注入形成非晶层,作为边缘终端,二极管的击穿电压增加到约为800V.