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利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n＋-on—P光电二极管中的少子寿命．实验发现，反向恢复时间同正、反向电流的大小有关．从恢复时间t。与Iv／IR函数关系提取的少子寿命随着基区厚度与少子扩散长度比值降低而明显增大．在77K时，采用传统方法脉冲回复技术提取的少子寿命为28ns，而当考虑短基区效应时，所提取的少子寿命为51ns．这表明HgCdTe光电二极管的基区厚度与少子扩散长度比值是采用脉冲恢复技术测量少子寿命技术中的一个重要参数．只有当基区厚度大于三倍少子扩散长度时，传统方法中无限基区厚度的假设条件才成立．