【摘 要】
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文章介绍了作者所在实验室在巨磁电阻（GMR）、隧穿磁电阻（TMR）、庞磁电阻（CMR）和反铁磁钉扎薄膜材料以及单晶金属氧化物、高自旋极化率材料、P-N异质结和纳米环磁随机存储器原理型演
【机 构】
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中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室
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文章介绍了作者所在实验室在巨磁电阻（GMR）、隧穿磁电阻（TMR）、庞磁电阻（CMR）和反铁磁钉扎薄膜材料以及单晶金属氧化物、高自旋极化率材料、P-N异质结和纳米环磁随机存储器原理型演示器件设计等研究方面取得的一些重要研究成果和进展.例如：在Al-O势垒磁性隧道结材料体系里,获得室温磁电阻超过80%的国际最好结果;获得两种高性能层状反铁磁钉扎材料体系;发现具有大的电致电阻效应的CMR薄膜材料,并可期望用于电流直接进行磁信息写和读操作的磁存储介质;发现双势垒磁性隧道结中的量子阱态共振隧穿和磁电阻振荡效应,以
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