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本文研究晶体硅太阳电池浅浓度扩散工艺,该工艺在过程中控制降低扩散浓度,减少扩散步骤,采用缓慢沉积的方式,从而减少扩散后结的死层,增大P-N结与浆料的契和度。可提高太阳能电池的短路电流0.25A～0.30A,从而使电池片效率提高3%以上,且使得扩散后方块电阻更加均匀,方法易行、操作简便、成本低廉。